氧化铪（HfO₂）是一种重要的无机化合物，在多个高科技领域有广泛应用。其主要特性与相关信息如下：

一、基本物化性质

1、‌物理状态‌：常温下为白色或灰白色晶体粉末，密度约9.68 g/cm³

‌2、热学性质‌：熔点极高（多数文献记载为2758–2810°C），沸点约5400°C，热膨胀系数低（5.6×10⁻⁶/K）

‌3、溶解性‌：不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于热浓氢氟酸或硫酸

4、‌晶型结构‌：存在无定型态、单斜晶系（稳定态）和四方晶系。无定型态在450~480°C煅烧时转化为单斜晶，1700~1865°C时可转为四方晶

5、添加氧化钙等可形成立方晶固溶体

二、关键特性与应用

‌1、高介电常数‌：介电常数达20–25（远高于二氧化硅的3.9），能显著降低芯片尺寸与功耗，是替代传统MOSFET栅极绝缘层的理想材料

‌铁电性调控‌：掺杂铝可优化其铁电性能（如2.4%铝掺杂效果最佳），但过量铝会破坏铁电相稳定性

2、该特性为新型低功耗存储器开发提供可能

3、‌稳定性与惰性‌：耐高温（熔点>2800°C）、抗酸碱腐蚀，适用于核反应堆控制棒、航空航天耐热部件及高频电子器件